Struktur Dan Karakteristik Thyristor

            Thyristor mempunyai devais semikonduktor 4 lapis berstruktur pnpn dengan tiga pn-junction. Devais ini mempunyai tiga terminal yaitu: anoda, katoda dan gate. Gambar II.13 memperlihatkan simbol thyristor dan bagan dari tiga pn-junction. Thyristor dibuat melalui proses defusi.

            Ketika tegangan anoda dibuat lebih positif dibandingkan dengan tegangan katoda, maka sambungan j₁ dan j₃ berada pada kondisi forward bias. Sambungan j₂ berada pada kondisi reverse bias, dan akan mengalir arus bocor yang kecil antara anoda katoda. Pada kondisi ini thyristor dikatakan pada kondisi forward blocking atau kondisi off-state jika tegangan anoda kekatoda V_AK ditingkatkan hinggga tertentu, maka sambungan J₂ akan bocor. Hal ini dikenal dengan avalanche breakdown. Dan karena J₂ dan J₃ sudah berada pada kondisi forward-bias maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga sambungan, yang menghasilkan arus anoda yang besar. Thyristor pada keadaan tersebut berada pada keadaan konduksi atau keadaan hidup. Tegangan yang jatuh dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layar yang biasanya cukup kecil sekitar 1 volt. Pada keadaan ON arus anoda dibatasi oleh resistansi atau impedansi luar, (gambar 2.14a). Arus anoda harus lebih besar dari satu nilai yang disebut latching current I_L agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas yang melewati sambungan-sambungan. Latching current I_L arus anoda minimum yang diperlukan agar membuat thyristor tetap pada kondisi hidup, begitu thyristor telah dihidupkan dan sinyal gerbang dihilangkan. Karakteristik V-I umum dari suatu thyristor (gambar 2.14b).

untuk melihat halaman selanjutnya klik disini